STP7NM50N

在追求更高能效与可靠性的电源设计领域，您是否还在为如何平衡性能与成本而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STP7NM50N，这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的功率MOSFET，正是为破解这一难题而生的卓越之选。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键动力引擎。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业电源转换等核心应用中，系统需要稳定处理高达500V的电压和5A的连续电流。这正是STP7NM50N大显身手的舞台。其先进的MDmesh II技术，意味着更低的导通电阻（典型值仅780毫欧）和优化的栅极电荷，这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗。当您的设备运行时，更少的能量以热量的形式被浪费，系统整体效率得到显著提升，温升更低，可靠性自然水涨船高。无论是让LED驱动电源更清凉持久，还是让电机控制响应更迅捷精准，它都能游刃有余。

选择STP7NM50N，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。TO-220AB的经典封装，为工程师提供了熟悉的安装方式和出色的散热能力，最大45W的功率耗散让它在严苛环境下依然稳定。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了从寒冷户外到高温机箱内的全天候适应性。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在存量市场、特定升级方案或对经典设计有需求的场景中，依然拥有不可替代的价值。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。这不仅是品质的保证，更是您项目顺利推进的坚实后盾。让STP7NM50N成为您下一个成功设计的强大心脏，开启高效、可靠的能量新纪元。

• 型号:STP7NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。