STP7NM80

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为高压开关器件的选择而反复权衡？当面对800V的严苛工作环境，您需要的不仅是一个开关，更是一个值得信赖的能量控制核心。现在，让我们向您介绍一款历经市场验证的经典功率器件STP7NM80。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是意法半导体MDmesh技术家族的杰出代表，专为那些要求苛刻的高压应用而生，旨在将系统的整体效能与稳健性提升到一个新的高度。

想象一下，在工业电机驱动、开关电源（SMPS）或功率因数校正（PFC）电路的核心位置，STP7NM80正以其800V的卓越耐压能力和6.5A的连续电流处理能力，从容应对各种电压尖峰和负载波动。其TO-220封装不仅提供了出色的通孔安装便利性，更确保了高达90W的功率耗散能力，让热量管理变得更为轻松。这意味着，无论是家用电器中的高效电源，还是工业自动化设备里的驱动模块，它都能成为保障系统长时间稳定运行的坚实基石。选择它，就是为您的产品注入了经久耐用的基因。

那么，在众多同类产品中，为何独独青睐这颗芯片？答案藏在细节里。其1.05欧姆的低导通电阻（在10V驱动下）直接转化为更低的导通损耗，显著提升了整机效率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量市场及特定延续性项目中依然极具价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理进行采购。这不仅是获得一颗高性能芯片，更是获得一份关于品质与可靠性的承诺，让您的设计之旅更加安心、高效。

• 型号:STP7NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7NM80的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。