STP80N20M5

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？当传统MOSFET在高频应用中显得力不从心时，STP80N20M5的出现，正是为了打破这一瓶颈。它不仅仅是一个功率开关，更是意法半导体MDmesh V技术的杰出代表，旨在为您带来前所未有的效率提升与系统可靠性。其高达61A的连续漏极电流承载能力和仅23毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的功率等级下，它能显著降低导通损耗，让更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量。

这颗芯片的强大性能，使其在各类中高功率应用场景中游刃有余。无论是工业电机驱动中需要快速响应的变频控制，还是通信电源里要求高效稳定的DC-DC转换，甚至是不断进化的电动汽车车载充电器(OBC)，STP80N20M5都能提供坚实可靠的功率开关解决方案。其200V的漏源电压和高达190W的功率耗散能力，确保了它在严苛的电压应力和热环境下依然稳定工作，让您的产品设计拥有更宽的安全裕度和更长的使用寿命。面对复杂的市场环境，选择可靠的供应链至关重要，通过专业的ST中国代理，您可以获得正品保障与全面的技术支持。

那么，为何众多工程师在众多选择中青睐STP80N20M5？答案在于它精准平衡了性能、可靠性与成本。MDmesh V技术优化了单元结构，在降低Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容）方面表现出色，这不仅简化了驱动电路的设计，更能实现更快的开关速度，从而降低开关损耗，提升整体系统频率和功率密度。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及市场上可能存在的库存或替代方案咨询，使其依然是许多经典设计升级或特定项目需求的优质考量。选择它，就是选择了一份经过时间考验的效能承诺。

• 型号:STP80N20M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):61A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 30.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4329 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80N20M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。