




STP80NF03L-04
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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STP80NF03L-04参数详情:
当您的电源管理设计面临效率与散热双重挑战时,是否渴望一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的“心脏”?答案就在STP80NF03L-04。这款来自意法半导体STripFET II家族的N沟道MOSFET,以其卓越的4.5毫欧超低导通电阻和高达80A的连续漏极电流,为您重新定义了30V应用场景下的功率处理标准。它不仅意味着更低的传导损耗和更少的发热,更直接转化为系统整体效率的显著提升和散热设计的简化,让您的产品在激烈的市场竞争中,天生就拥有更长的续航、更稳定的输出和更小的体积。
想象一下,在紧凑的DC-DC转换器中,它能够高效处理大电流,确保电压稳定输出;在电机驱动控制的核心位置,它能以极快的开关响应和强大的电流承载能力,精准控制马达的启停与转速;而在各类电源开关、负载开关及电池保护电路中,其优异的电气特性更是可靠性的坚实保障。无论是消费电子、工业自动化还是汽车辅助系统,STP80NF03L-04都能无缝融入,成为提升产品力不可或缺的关键元件。选择它,就是选择为您的应用注入一股强劲而高效的动力源泉。
为何众多工程师在同类产品中独独青睐它?理由清晰而有力。其4.5V的低栅极驱动电压门槛,让它可以轻松兼容多种控制逻辑,简化驱动电路设计。高达300W的功率耗散能力结合TO-220AB的经典封装,提供了卓越的散热性能和便捷的安装方式。更值得一提的是,极低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),大幅降低了开关损耗,使得它在高频开关应用中游刃有余,整体能效表现尤为出色。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时,我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STP80NF03L-04,不仅是选择了一颗顶尖的MOSFET,更是选择了一个值得信赖的性能伙伴,它将助您轻松攻克设计难关,高效实现产品价值最大化。
- 型号:STP80NF03L-04
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 40A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):110 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):300W(Tc)
- 工作温度:175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- STP80NF03L-04的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















