STP85N3LH5

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够同时驾驭高达80A电流与极低导通电阻的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计。现在，答案就在眼前STP85N3LH5，这颗源自意法半导体STripFET V家族的N沟道MOSFET，正是为高效能与高可靠性应用而生的卓越解决方案。

它的魅力首先体现在惊人的性能参数上：在10V驱动电压下，导通电阻低至仅5.4毫欧，这意味着在承载40A电流时，其自身的功率损耗被压缩到极低水平，电能得以更高效地传输，而非转化为无谓的热量。配合高达70W的功率耗散能力与175°C的结温，它为您构建的系统提供了坚实的耐热基础，确保在严苛环境下依然稳定运行。无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，亦或是汽车辅助系统中不可或缺的负载开关，STP85N3LH5都能游刃有余，将30V的电压平台和80A的电流能力转化为您产品强劲而可靠的“心脏”。

选择STP85N3LH5，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。其极低的栅极电荷（仅14nC @5V）和输入电容，显著降低了驱动电路的负担，让开关速度更快，整体系统频率得以提升，从而可以使用更小、更轻的磁性元件。经典的TO-220AB封装，兼顾了优异的散热性能与成熟的工艺可靠性，极大简化了您的生产与组装流程。当您致力于打造更高功率密度、更小体积或更长寿命的下一代产品时，这颗芯片所提供的性能余量与热管理优势，将成为您最值得信赖的伙伴。如需获取此型号的库存或技术支援，您可以咨询专业的ST代理商，他们将为您提供全面的服务。尽管该产品目前已处于停产状态，但其卓越的设计与广泛的应用验证，使其在特定存量项目与高可靠性替代方案中，依然闪烁着不可替代的价值光芒。

• 型号:STP85N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP85N3LH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。