STP8NK100Z

当您需要为高功率应用寻找一颗既能承受严苛电压又能保持高效运行的功率开关时，您会如何选择？答案就藏在那些看似枯燥的参数背后1000V的耐压能力、6.5A的连续电流、以及仅为1.85欧姆的导通电阻。这些数字共同指向了一个卓越的解决方案：STP8NK100Z。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其SuperMESH技术的强大基因，正在重新定义高效与可靠的边界。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或是UPS不间断电源系统中，电压尖峰和热应力是常态挑战。STP8NK100Z正是为此而生。它高达1000V的漏源击穿电压（Vdss）为您提供了充足的安全裕度，有效抵御电网波动和感性负载带来的冲击。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率轻松跃升一个台阶。无论是面对频繁启停的电机，还是需要精密调控的功率转换，它都能稳定输出，成为您电路设计中坚如磐石的核心。

选择STP8NK100Z，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份长久的安心与价值。其TO-220AB的经典封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，最高160W（Tc）的功率耗散能力确保了它在-55°C至150°C的宽广结温范围内持续稳定工作。这意味着您的产品将拥有更长的使用寿命和更低的现场故障率，从而赢得终端用户的深度信赖。当您追求极致的性能与可靠性时，通过官方授权的ST代理渠道获取正品STP8NK100Z，无疑是确保供应链安全、加速产品上市的最佳策略。让它为您的下一个设计注入强大动力，见证效率与可靠性的完美融合。

• 型号:STP8NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.85 欧姆 @ 3.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。