STP8NK80Z

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗既能承受高压冲击，又能保持低温高效运行的“心脏”？今天，我们为您带来意法半导体SuperMESH家族的明星产品STP8NK80Z。它不仅仅是一个800V/6.2A的N沟道MOSFET，更是您构建可靠、高效功率系统的基石。凭借其卓越的1.5欧姆超低导通电阻（在10V驱动下），它能显著降低开关损耗和传导损耗，将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量，让您的设备在-55°C至150°C的严苛温度范围内依然稳定如初。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或电机驱动应用中，STP8NK80Z正扮演着能量高效转换的核心角色。其高达800V的漏源电压击穿能力，为您应对电网波动和感性负载反冲提供了充足的安全裕量；而仅46nC的低栅极电荷，意味着它能够被快速驱动，实现更高的开关频率，从而让您的电源设计可以选用更小体积的磁性元件，整体方案更加紧凑、成本更具优势。无论是工业级不间断电源（UPS），还是消费类适配器，它都能游刃有余，确保系统长时间可靠运行。

选择STP8NK80Z，就是选择了一份由尖端技术和卓越品质背书的信心。它所采用的SuperMESH技术，是意法半导体对高性能功率MOSFET的深刻诠释，专为优化开关性能而生。经典的TO-220AB封装不仅便于安装和散热，也经过了市场的长期验证。更重要的是，当您通过官方授权的ST一级代理进行采购时，您获得的不仅是原装正品和具有竞争力的价格，更是从技术支援到供应链稳定的全方位保障。立即将STP8NK80Z纳入您的设计，亲身体验它如何以强大的性能释放您产品的全部潜能，赢得市场竞争的先机。

• 型号:STP8NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。