STP8NK85Z

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对850V的严苛电压环境，传统的MOSFET往往力不从心，导致系统效率低下、温升过高，甚至可靠性风险。现在，这一切都将被重新定义。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族的杰出代表STP8NK85Z，这颗专为高压、高效应用而生的N沟道功率MOSFET，将以其卓越的电气特性，为您的设计注入强劲动力。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或UPS不间断电源系统中，STP8NK85Z如同一位不知疲倦的“能量守门员”。它凭借高达850V的漏源击穿电压，从容应对电网波动和感性负载带来的高压尖峰，为您的系统构筑起坚固的安全防线。其1.4欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），意味着在导通状态下能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。这不仅直接提升了整机效率，更能让散热设计变得更为简洁，帮助您节省空间与成本。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它将让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。无论是需要长时间稳定运行的工业设备，还是对体积和效率有严苛要求的消费类电源适配器，STP8NK85Z都能完美胜任。其TO-220AB的经典封装，提供了优异的通流能力和散热性能，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保它在各种恶劣环境下依然稳定可靠。选择它，就是选择了一份经得起时间考验的卓越性能。当您需要可靠的供货与技术支援时，遍布全球的ST代理商网络将是您坚实的后盾，确保您的项目从设计到量产一路畅通。

所以，当您下一次为高压开关电路选型时，无需再犹豫。STP8NK85Z不仅仅是一个元器件，它是一套经过市场验证的高效解决方案，是提升产品竞争力、赢得客户信赖的关键钥匙。让它成为您下一个成功设计的核心引擎，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP8NK85Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:850 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 3.35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NK85Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。