STP90N55F4

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够同时实现低导通电阻、快速开关和卓越热性能的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源转换、电机驱动或负载开关应用。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的力作STP90N55F4，它正是为解决这些核心挑战而生。

这颗采用先进STripFET和DeepGATE技术的N沟道MOSFET，绝非普通器件。其惊人的8毫欧超低导通电阻（在10V驱动电压下），意味着在高达90A的连续电流下，导通损耗被降至前所未有的低水平。更低的损耗直接转化为更少的发热和更高的系统效率，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效表现脱颖而出。无论是用于服务器电源、工业变频器，还是新能源车的车载充电器，它都能确保能量以最高效的方式流动，将每一瓦电力都用在刀刃上。

当您的设计面临高功率密度和紧凑空间的挑战时，STP90N55F4的卓越性能显得尤为关键。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，这不仅减少了开关损耗，还简化了驱动电路设计，让系统运行更稳定、更可靠。从-55°C到175°C的宽广结温工作范围，配合TO-220AB封装强大的散热能力，赋予了它应对严苛环境与突发过载的非凡韧性。这意味着，在工业自动化生产线、不间断电源（UPS）或者高性能音频放大器等场景中，您可以完全信赖它的持久与稳定。

选择STP90N55F4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它不仅仅是一个参数优秀的半导体器件，更是您提升产品整体竞争力、实现设计目标的关键伙伴。其平衡而全面的性能表现，让您在功率路径设计上无需妥协。如果您正在寻找一个值得信赖的ST芯片代理合作伙伴来获取这款高性能芯片及全面的技术支持，那么您已经找到了通往成功设计的最优路径。立即采用STP90N55F4，开启高效、可靠且充满竞争力的新一代电力电子设计之旅。

• 型号:STP90N55F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP90N55F4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。