STP9NK50Z

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率器件而反复权衡？今天，我们为您带来的STP9NK50Z，正是意法半导体SuperMESH技术家族中的一颗明星，它完美回应了这些挑战。凭借高达500V的漏源电压和7.2A的连续漏极电流能力，这颗N沟道MOSFET为您的高压应用筑起了一道坚实的性能防线，其卓越的导通电阻与栅极电荷特性，意味着更低的传导损耗和更快的开关速度，直接转化为系统的整体效率提升和温升降低。

想象一下，无论是开关电源中作为主功率开关，还是在照明驱动的PFC电路中，亦或是电机控制、工业逆变器等需要稳定高压切换的场景，STP9NK50Z都能游刃有余。其TO-220AB的经典封装形式，不仅提供了优异的散热性能，确保在高达110W的功率耗散下仍能稳定工作于-55°C至150°C的宽温范围，也极大地方便了您的电路板布局与生产装配。这意味着，从原型设计到批量生产，它都能成为您值得信赖的伙伴，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的可靠性和能效脱颖而出。

选择STP9NK50Z，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一套经过市场验证的解决方案。其背后是意法半导体强大的技术支撑和全球供应链保障。当您通过正规的ST授权代理进行采购时，您获得的不仅是原装正品和具有竞争力的价格，更是从技术选型支持到物流交付的全方位服务，让您的研发与生产进程再无后顾之忧。让STP9NK50Z为您的下一个设计注入强劲动力，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STP9NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。