STP9NK60Z

在追求更高能效和更可靠性能的电源与电机控制设计中，您是否还在为功率器件的选择而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH家族中的明星成员STP9NK60Z。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达600V的漏源击穿电压和7A的连续漏极电流能力，为您的中等功率应用构建起一道坚固的性能防线。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、实现设计精简化的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）中，无论是反激式还是正激式拓扑，STP9NK60Z都能凭借其优异的动态特性，实现快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗，让您的电源在满载和轻载下都保持高效运行。在电机驱动领域，无论是家用电器中的风扇、水泵，还是工业控制中的小型电机，这颗芯片都能轻松驾驭，提供平稳而有力的控制。其TO-220AB的经典封装，不仅散热性能出色，便于安装，更意味着它经过了无数成熟应用的验证，可靠性毋庸置疑。当您需要构建照明镇流器、功率因数校正（PFC）电路，或是任何需要高压开关的场合，它都是您值得信赖的伙伴。

选择STP9NK60Z，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。其核心的SuperMESH技术，在相同的芯片面积下实现了更低的导通电阻（Rds(on)），这意味着更低的导通损耗和更低的温升，直接转化为更高的系统能效和更长的使用寿命。高达125W的功率耗散能力，配合宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保您的产品能够从容应对各种严苛的环境挑战。无论是应对突发的浪涌电流，还是在持续高负荷下稳定工作，它都游刃有余。为了让您更便捷地获得这颗性能利器，我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，确保产品原装正品和完整的技术支持服务。立即将STP9NK60Z纳入您的设计，开启高效、可靠且极具成本效益的功率控制新篇章。

• 型号:STP9NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。