STP9NK70Z

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？当面对严苛的工业环境或需要长时间稳定运行的消费类电源时，选择一颗性能卓越的功率开关器件，往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH家族中的一颗经典之作STP9NK70Z，它虽然已进入停产状态，但其卓越的性能和久经考验的可靠性，使其在特定应用和库存市场中依然闪耀着不可替代的价值。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，这颗N沟道MOSFET正以其高达700V的漏源击穿电压从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。7.5A的连续漏极电流能力，配合SuperMESH技术带来的超低导通电阻，意味着更低的传导损耗和更出色的温升表现。这直接转化为您的终端产品无论是家用电器、工业电源还是LED驱动能够运行得更凉爽、更持久，将电能更高效地转化为有用的输出，而非无谓的热量。选择可靠的ST芯片代理，是确保您能获得正品库存、获得专业选型支持，从而让经典器件继续发挥余热的重要一环。

它的价值远不止于参数表。TO-220AB的经典封装形式，为工程师提供了熟悉的安装和散热解决方案，简化了从设计到生产的过渡。尽管产品状态显示为停产，但对于许多已定型并稳定量产的项目，或是那些对成本极其敏感且对性能有明确要求的应用场景，STP9NK70Z依然是经过时间验证的可靠选择。它代表了一个时代的技术标杆，其稳健的表现足以应对从-55°C到150°C的广阔结温范围挑战。当您需要一款能够扛住高压、流通适中电流、并以出色性价比完成任务的功率开关时，回顾并选用这样一颗经典器件，往往是最务实、最稳健的工程决策之一。

• 型号:STP9NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK70Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。