STP9NK80Z

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为功率开关器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个集高耐压、低损耗与卓越热管理于一身的解决方案，将如何彻底改变您的产品表现。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的明星产品STP9NK80Z，这颗源自SuperMESH技术家族的N沟道MOSFET，正是为突破极限而生。

当您深入了解它，会发现其800V的惊人漏源电压耐受力，如同为您的电路构筑了一道坚固的防线，轻松应对电网波动和苛刻的工业环境。7.5A的连续漏极电流承载能力，配合仅为1.2欧姆的低导通电阻，意味着在相同的功率输出下，能量损耗被大幅削减，热量产生更少，系统整体效率显著提升。这不仅直接转化为更长的设备运行时间和更低的电费支出，更意味着您的产品在市场竞争中拥有了“冷静”而强大的心脏。

这颗芯片的价值，在诸多应用场景中熠熠生辉。无论是开关电源（SMPS）中的核心开关、PFC（功率因数校正）电路，还是电机驱动、照明镇流器乃至不间断电源（UPS）系统，STP9NK80Z都能凭借其优异的开关特性和高达150W的功率处理能力，确保系统稳定、高效且持久地运行。其TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，让工程师的设计与生产流程都更加顺畅。

选择STP9NK80Z，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的市场验证和可靠的库存支持，使其依然是许多经典设计升级或长期维护项目的理想之选。我们作为值得信赖的ST芯片代理，不仅为您提供这颗性能卓越的芯片，更能为您带来专业的技术支持和供应链服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。让STP9NK80Z成为您提升产品竞争力、赢得客户信赖的秘密武器，开启能效新时代。

• 型号:STP9NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。