STP9NK90Z

当您的电源设计面临高压、高功率的严苛挑战时，是否总在寻找那颗既能扛住压力又能保持高效的心脏？答案就在STP9NK90Z。作为意法半导体SuperMESH家族的明星成员，这颗900V、8A的N沟道MOSFET，正是为突破传统功率限制而生的利器。它不仅仅是一个开关，更是您系统可靠性与效率的守护者，其卓越的耐压能力和低导通电阻，意味着在高压环境下损耗更少、发热更低，让能量传递更加纯粹直接。

无论是工业电机驱动中需要应对瞬间高压冲击，还是开关电源（SMPS）中追求更高的功率密度和能效，STP9NK90Z都能游刃有余。在PFC（功率因数校正）电路、照明镇流器或是UPS不同断电源系统中，它的稳定表现确保了整个设备长时间可靠运行。面对复杂的电磁环境和高低温变化，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）提供了坚实的保障。选择我们作为您的ST芯片代理，您获得的不仅是一颗顶级芯片，更是从选型支持到稳定供应的全程伙伴关系。

为什么众多工程师在高压应用中对它青睐有加？关键在于其内在的卓越平衡。高达900V的漏源电压（Vdss）提供了充足的安全裕量，有效抵御电网波动和感性负载带来的电压尖峰。同时，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.3欧姆，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺。当您需要构建更坚固、更高效、更紧凑的功率系统时，STP9NK90Z提供的正是这种让人安心的性能基石，让创新设计再无后顾之忧。

• 型号:STP9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。