STPSC10H12B2-TR

在追求极致能效与功率密度的今天，您的电源设计是否还在为传统硅基二极管的开关损耗和发热问题所困扰？想象一下，如果有一种解决方案，能直接将系统效率提升一个台阶，同时让散热设计变得前所未有的轻松这并非遥不可及的愿景，而是STPSC10H12B2-TR碳化硅肖特基二极管为您带来的现实价值。作为ST意法半导体在宽禁带半导体领域的匠心之作，它凭借碳化硅材料的先天优势，彻底颠覆了高压高频应用的性能边界。

这颗芯片的核心魅力在于其“零反向恢复”特性。传统快恢复二极管在关断时产生的拖尾电流是开关损耗的主要来源，而STPSC10H12B2-TR的反向恢复时间（trr）标称为0ns，这意味着在关断瞬间几乎没有能量损失。配合高达1200V的反向耐压和10A的平均整流电流，它能让您的光伏逆变器、服务器电源或电动汽车车载充电机（OBC）在更高的工作频率下稳定运行，显著提升功率密度，同时降低电磁干扰（EMI）。其极低的正向压降（仅1.5V @ 10A）和反向漏电流（仅60A @ 1200V），进一步确保了电能转换过程的高效与洁净，每一瓦特电力都被精准利用。

无论是面对工业电机驱动中严苛的浪涌冲击，还是在数据中心不间断电源（UPS）里要求7x24小时可靠运行，STPSC10H12B2-TR都能游刃有余。它采用坚固的TO-252-3（DPAK HV）封装，符合ECOPACK2环保标准，表面贴装设计便于自动化生产，大大提升了您的制造效率与产品一致性。当您选择与可靠的ST授权代理合作时，获得的不仅是这颗性能卓越的芯片，更是从技术选型、样品支持到稳定供货的全周期保障，让您的创新项目后顾无忧。

因此，当您下一次为提升系统效率、缩小体积或增强可靠性而寻找关键元器件时，STPSC10H12B2-TR无疑是一个值得信赖的答案。它不仅仅是一个组件，更是通向更高能效未来的一座桥梁，帮助您的产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的性能和可靠性脱颖而出。

• 型号:STPSC10H12B2-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK HV
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 10 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:725pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK HV
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC10H12B2-TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。