




STPSC12H065D
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:TO-220AC
- 技术参数:DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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STPSC12H065D参数详情:
在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为传统硅基二极管的开关损耗和高温降额而妥协?是时候拥抱变革了。我们隆重向您推荐意法半导体的新一代功率解决方案STPSC12H065D碳化硅肖特基二极管。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键钥匙。
想象一下,在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩等严苛的应用场景中,系统需要承受高电压、大电流的持续考验,同时还要保证极高的可靠性和转换效率。传统快恢复二极管(FRD)在高压下难以避免的“反向恢复”问题,就像高速行驶中的急刹车,会产生巨大的能量损耗和电磁干扰,严重制约了系统性能的提升。而STPSC12H065D凭借其碳化硅(SiC)材料的先天优势,从根本上消除了这一顽疾。它具备近乎零反向恢复电荷的特性,这意味着在开关过程中能量损耗极低,系统可以运行在更高的频率下,从而让您的电源设计更紧凑、更高效、更安静。
选择STPSC12H065D,就是选择了一份从容与自信。其高达650V的反向耐压和12A的平均整流电流,为您的设计提供了宽裕的安全余量。在12A满载条件下,正向压降仅为1.75V,这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。TO-220AC的经典封装形式,兼顾了优异的散热性能和成熟的安装工艺,让升级换代变得轻松无虞。更值得一提的是,其出色的高温稳定性,让系统在高温环境下依然能保持强劲输出,彻底告别因温度升高而被迫降额使用的尴尬。这一切性能的提升,最终都将转化为您终端产品更长的使用寿命、更低的运营成本和更卓越的市场口碑。
卓越的产品需要可靠的渠道来保障。我们作为专业的ST授权代理,不仅为您提供原装正品的STPSC12H065D,更能提供从选型支持到技术咨询的全方位服务。让我们携手,用这颗划时代的碳化硅二极管,为您的下一个明星产品注入澎湃而高效的核心动力,共同开启绿色能源应用的新篇章。
- 型号:STPSC12H065D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AC
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):12A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 12 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:600pF @ 0V,1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-2
- 供应商器件封装:TO-220AC
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
- STPSC12H065D的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















