STPSC20H12G2Y-TR

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为传统硅基二极管的高损耗和散热难题而困扰？想象一下，如果有一种解决方案，能将开关损耗降低80%，让系统效率轻松突破99%，这将对您的产品竞争力产生怎样的飞跃？今天，我们为您带来的STPSC20H12G2Y-TR碳化硅肖特基二极管，正是开启这扇高效之门的钥匙。它不仅仅是一个元件，更是您实现产品性能跃升、抢占市场先机的战略武器。

这款来自ST意法半导体的明星产品，天生就为应对严苛挑战而生。其高达1200V的反向耐压和20A的持续电流能力，为高压大功率应用提供了坚实的保障。更令人振奋的是，它采用了先进的碳化硅技术，彻底消除了传统快恢复二极管恼人的反向恢复问题。这意味着在硬开关拓扑中，您将告别因反向恢复电流带来的巨大开关损耗和电磁干扰，系统运行变得异常安静、平滑且高效。极低的正向压降（仅1.5V @ 20A）和微乎其微的反向漏电流，进一步将导通损耗降至新低，让每一瓦特电力都物尽其用，直接转化为更长的续航、更小的散热器或更高的功率密度。

无论是新能源汽车迅猛发展的车载充电机（OBC）和DC-DC转换器，还是数据中心里永不间断的服务器电源，亦或是光伏逆变器、工业电机驱动等对可靠性要求极高的领域，STPSC20H12G2Y-TR都能大显身手。它符合严苛的AEC-Q101汽车级标准，无惧高温、振动等恶劣环境，确保您的系统在全生命周期内稳定可靠。其D2PAK HV封装兼顾了优异的散热性能和自动化贴装便利性，让您的生产流程高效且一致。选择它，就是选择为您的产品注入“高效、可靠、紧凑”的基因。

当您决定拥抱碳化硅技术带来的变革时，一个可靠的技术与供应链伙伴至关重要。我们作为专业的ST代理，不仅能为您提供原装正品的STPSC20H12G2Y-TR，更能提供深度的技术支持和丰富的应用经验，帮助您快速将这颗高性能芯片的优势转化为产品竞争力。从概念到量产，我们与您同行，共同定义下一代高效电能转换的标杆。别再犹豫，立即体验碳化硅技术带来的颠覆性效能，让您的设计脱颖而出！

• 型号:STPSC20H12G2Y-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK HV
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIC 1.2KV 20A D2PAK HV
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 20 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:1650pF @ 0V，1MHz
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK HV
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC20H12G2Y-TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。