STPSC2H12B-TR1

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为传统硅基二极管的高开关损耗和反向恢复问题所困扰？想象一下，如果有一种解决方案能够彻底消除反向恢复电流，将开关频率提升至全新高度，同时保持惊人的高温稳定性，这将会为您的电源设计带来怎样的变革？现在，答案就在STPSC2H12B-TR1这颗来自ST意法半导体的碳化硅肖特基整流器，正是为颠覆而来。

它不仅仅是一个二极管，更是通往高效未来的钥匙。凭借其碳化硅材料的先天优势，STPSC2H12B-TR1实现了零反向恢复时间（0ns），这意味着在硬开关拓扑中，您可以彻底告别因反向恢复带来的开关损耗和电压尖峰，系统效率得以大幅跃升。高达1200V的反向耐压和5A的平均整流电流，赋予了它强大的功率处理能力，而1.5V@2A的低正向压降，则确保了导通损耗的最小化。无论是面对工业电机驱动、太阳能逆变器中的升压电路，还是服务器电源、电动汽车充电桩中的PFC环节，这颗芯片都能游刃有余，让您的系统在高温、高频下依然稳定可靠，轻松应对严苛挑战。

选择STPSC2H12B-TR1，就是选择一种面向未来的设计哲学。它采用表面贴装的DPAK封装，易于生产焊接，其所属的ECOPACK系列更体现了环保承诺。虽然该型号已进入停产状态，但其代表的技术方向和性能标杆依然极具参考价值。对于正在规划新一代高效、高功率密度产品的工程师而言，理解并借鉴其碳化硅肖特基技术的优势至关重要。当您需要为现有或未来的项目寻找类似的高性能替代方案或进行技术评估时，专业的ST授权代理将是您获取准确产品信息、库存状态及后续支持的最佳伙伴。让STPSC2H12B-TR1所诠释的零恢复、高效率理念，点燃您下一个创新设计的灵感，构建出更节能、更紧凑、更具竞争力的电力电子系统。

• 型号:STPSC2H12B-TR1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 2 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:190pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC2H12B-TR1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。