STPSC406B-TR

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为传统硅基二极管的高开关损耗和反向恢复问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STPSC406B-TR。这款来自ST意法半导体的碳化硅肖特基二极管，以其600V的耐压和4A的电流能力，为您打开了通往更高效率、更小体积和更强可靠性的设计大门。它不仅仅是一个元件，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的秘密武器。

想象一下，在您的服务器电源、太阳能逆变器或电动汽车车载充电器中，能量转换的每一个环节都至关重要。STPSC406B-TR凭借其碳化硅材料的先天优势，实现了近乎为零的反向恢复时间（0ns），这意味着在高速开关过程中，几乎没有能量被浪费在二极管本身的关断损耗上。这种特性直接转化为更低的系统温升、更高的开关频率以及由此带来的磁性元件小型化可能。无论是面对严苛的工业环境，还是追求轻薄紧凑的消费类产品，它都能让您的设计游刃有余，性能表现稳如磐石。

选择STPSC406B-TR，就是选择了一份来自技术前沿的保障。其1.9V@4A的低正向压降，进一步降低了导通损耗，提升了整体能效。DPAK的表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也简化了自动化生产流程。当您致力于打造下一代高效、可靠的电力电子设备时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。为了确保您能获得稳定、正品的货源和及时的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，这将是您项目成功的重要基石。

• 型号:STPSC406B-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:600 V
• 电流 - 平均整流 (Io):4A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 4 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 600 V
• 不同Vr、F 时电容:200pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC406B-TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。