STPSC5H12D

在追求极致能效的电力电子世界里，您是否还在为传统硅基二极管的高开关损耗和发热问题而烦恼？想象一下，如果有一种解决方案，能将开关损耗降低高达80%，让您的电源设计瞬间迈入高效节能的新纪元，那将是怎样的飞跃？今天，我们为您带来的STPSC5H12D碳化硅肖特基二极管，正是这样一款划时代的性能利器。

它绝不仅仅是一个普通的整流器件。基于先进的碳化硅技术，STPSC5H12D拥有高达1200V的反向耐压和5A的额定电流，而其最令人惊叹的特性在于“零反向恢复时间”。这意味着在高速开关过程中，它彻底消除了传统快恢复二极管固有的“拖尾电流”现象，开关损耗得以大幅削减。无论是服务器电源、太阳能逆变器，还是电动汽车的车载充电机，这颗芯片都能让系统运行得更凉爽、更安静、更可靠，直接将整机效率提升到一个全新的水平，帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STPSC5H12D，就是选择为您的设计注入未来科技的灵魂。它采用坚固的TO-220AC封装，易于安装和散热，其极低的正向压降（仅1.5V @ 5A）和微安级的反向漏电流，确保了能量在传输过程中的每一分损耗都被压缩到极致。当您致力于打造更高功率密度、更小体积的下一代电源产品时，这颗芯片提供的不仅仅是参数上的优势，更是实现设计自由度和系统可靠性的关键钥匙。现在，通过值得信赖的ST代理渠道，您就能轻松获得这款来自意法半导体的尖端产品，让我们携手，将高效的电力转换梦想变为现实。

• 型号:STPSC5H12D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AC
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 5 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:450pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-2
• 供应商器件封装:TO-220AC
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC5H12D的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。