STPSC6H065DI

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为传统硅基二极管的高开关损耗和反向恢复问题所困扰？想象一下，如果有一种解决方案，能将系统效率提升一个台阶，同时显著降低散热需求，您的产品竞争力将获得怎样的飞跃？今天，我们向您隆重介绍意法半导体基于前沿碳化硅（SiC）技术的杰作STPSC6H065DI，它正是为打破效率瓶颈、开启高性能设计新纪元而生。

这款650V/6A的碳化硅肖特基二极管，其核心价值在于它几乎为零的反向恢复电荷。这意味着在开关电源、PFC电路、光伏逆变器或UPS不间断电源中，当它进行高频开关时，不会像传统快恢复二极管那样产生巨大的开关损耗和电磁干扰。您的系统将运行得更“冷静”、更安静，整体效率的提升直接转化为更长的运行时间、更小的散热器尺寸，乃至更低的系统总成本。无论是致力于打造下一代高效服务器电源，还是设计更可靠的电动汽车车载充电器，STPSC6H065DI都能让您的设计从容应对高温、高频率的严苛挑战。

选择STPSC6H065DI，就是选择了一种面向未来的技术自信。其高达650V的反向耐压和仅1.75V@6A的低正向压降，在确保强大可靠性的同时，进一步优化了导通损耗。TO-220AC绝缘封装不仅便于安装，更为您的系统提供了额外的安全隔离保障。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，我们的ST一级代理团队随时待命，为您从选型到量产提供全程护航。让STPSC6H065DI成为您高性能蓝图中的关键拼图，与我们一同，将高效的能源转换理念，变为触手可及的现实。

• 型号:STPSC6H065DI
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AC ins
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIC 650V 6A TO220AC INS
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):6A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 6 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC
• 供应商器件封装:TO-220AC ins
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC6H065DI的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。