STPSC8H065G-TR

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为传统硅基二极管的高开关损耗和反向恢复问题所困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STPSC8H065G-TR。这款来自ST意法半导体的碳化硅肖特基整流器，以其650V的耐压和8A的电流能力，正在为高效、高功率密度设计树立全新的标杆。它不仅仅是一个元件，更是您实现系统性能飞跃的关键钥匙。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或新能源车载充电器中，开关频率可以大幅提升，而损耗却显著降低。这正是STPSC8H065G-TR带来的核心价值。它采用了先进的碳化硅技术，实现了革命性的“零反向恢复时间”，这意味着在开关过程中几乎没有拖尾电流，开关损耗被降至极低水平。其高达650V的反向耐压和仅1.75V@8A的低正向压降，确保了在高压大电流工况下的卓越可靠性与效率。无论是追求80 PLUS钛金认证的电源，还是需要紧凑布局的太阳能逆变器，这颗芯片都能让您的设计游刃有余，轻松应对严苛的能效法规和市场对小型化的需求。

选择STPSC8H065G-TR，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它表面贴装的DPAK封装，不仅散热性能优异，更便于自动化生产，提升您的制造效率。其无与伦比的开关特性，让您的主功率拓扑可以运行在更高的频率，从而显著减小磁性元件的体积和成本，最终实现整个系统功率密度的跃升。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，可以信赖专业的ST代理，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。在竞争日益激烈的市场中，细节决定成败。让STPSC8H065G-TR成为您产品中的那颗“高效心脏”，驱动创新，赢得先机。

• 型号:STPSC8H065G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:414pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC8H065G-TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。