STQ2HNK60ZR-AP

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和系统稳定性而妥协？想象一下，一颗能在600V高压下稳定工作，同时将导通电阻和栅极电荷优化到新高度的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能？现在，这一切不再是想象。STQ2HNK60ZR-AP，来自意法半导体备受赞誉的SuperMESH家族，正是为满足您对高效率、高可靠性的严苛要求而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键引擎。

无论是紧凑型开关电源、LED驱动，还是需要高效功率转换的工业控制模块，STQ2HNK60ZR-AP都能大显身手。其高达600V的漏源电压和500mA的连续漏极电流，为您的设计提供了坚固的安全边际和充沛的动力储备。在那些空间受限但对散热和效率要求极高的应用场景中，例如适配器、充电器或辅助电源，这颗采用经典TO-92-3封装的器件，以其卓越的功率密度和-55°C至150°C的宽工作温度范围，确保您的设备在各种严酷环境下都能稳定运行，持久耐用。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体的尖端基因。

那么，在众多同类产品中，为何STQ2HNK60ZR-AP能脱颖而出，成为您的首选？答案在于其无与伦比的综合性能价值。SuperMESH技术带来的核心优势，是将低导通电阻（Rds(on)）与极低的栅极电荷（Qg）完美结合。这意味着在开关过程中，它既能有效降低导通损耗，又能显著减少开关损耗，整体效率得到大幅提升。更低的栅极驱动需求也让您的驱动电路设计更为简化，系统成本得到优化。当您需要可靠、高品质的意法半导体产品时，通过官方授权的ST代理进行采购，是确保产品正宗、供应稳定并获得专业技术支持的最佳途径。让STQ2HNK60ZR-AP成为您下一个成功设计的基石，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STQ2HNK60ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
• STQ2HNK60ZR-AP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。