STS11N3LLH5

在追求极致能效的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在更低的栅极电荷下实现快速切换，同时保持超低导通电阻的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，这一切不再是想象，STS11N3LLH5正是为此而生的性能利器。

源自ST意法半导体备受赞誉的STripFET V技术平台，这颗N沟道MOSFET将卓越的性能浓缩于小巧的8-SO封装之中。其仅14毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在高达11A的连续电流下，导通损耗被降至前所未有的低水平，直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性。更令人振奋的是，它仅需4.5V的低驱动电压即可开启高效工作，栅极电荷（Qg）低至5nC，这直接带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在动态响应和整体能效上双双获得飞跃。

无论是为便携式设备设计紧凑高效的DC-DC同步整流电路，还是在自动化设备中精准控制小型电机的启停与调速，STS11N3LLH5都能游刃有余。其30V的漏源电压（Vdss）和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它应对工业环境严苛挑战的坚固底气。当您需要构建高密度、高可靠性的电源模块，或是优化电池供电工具的续航能力时，选择它就意味着选择了经过市场验证的稳定性和卓越的电气性能。通过正规的ST代理渠道获取，您不仅能确保产品的原装正品与可靠供应，更能获得专业的技术支持。

因此，当您下一次审视BOM清单，寻求在性能、尺寸与成本间找到最佳平衡点时，STS11N3LLH5提供了一个极具说服力的答案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计革新的关键伙伴。让它承载您的创意，将高效、紧凑与可靠变为您产品的核心标签。

• 型号:STS11N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS11N3LLH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。