STS1DNC45

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为高电压下的开关损耗和空间占用而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族中的明星产品STS1DNC45，这颗双N沟道MOSFET阵列，正是为突破传统限制、释放设计潜能而生。它不仅仅是一个组件，更是您实现高效、可靠、小型化电源系统的关键引擎。

想象一下，在您的LED驱动电源中，需要高效处理市电整流后的高压直流。STS1DNC45凭借高达450V的漏源电压和SuperMESH技术的加持，能够从容应对，显著降低导通损耗，让每一分电能都物尽其用，直接提升整机效率并降低温升。而在紧凑的离线式开关电源（SMPS）辅助电源或功率因数校正（PFC）电路中，其双通道集成设计让您轻松节省宝贵的PCB空间，将两个分立MOSFET合二为一，简化布局，降低BOM成本。无论是家用电器、工业控制还是智能照明，它都能游刃有余，确保系统在高温高湿等严苛环境下稳定运行，其高达150°C的结温（TJ）提供了宽泛的安全裕度。

选择STS1DNC45，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它极低的栅极电荷（Qg最大值仅10nC）和输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源工作在高频状态下依然保持冷静高效。4.5欧姆的低导通电阻（RDS(on)）确保了在400mA电流下仍能保持低功耗，直接转化为更长的设备寿命和更低的运营成本。其标准的8-SOIC封装兼容主流贴装工艺，极大方便了生产与采购。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能尖兵，我们专业的ST芯片代理团队将为您提供从选型支持到稳定供货的全链路服务，助您的新产品快人一步，赢得市场先机。

• 型号:STS1DNC45
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:450V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS1DNC45的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。