STS1NK60Z

当您需要一款能在高压环境下稳定工作，同时兼顾高效能与紧凑设计的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STS1NK60Z这颗小小的芯片之中。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术家族的杰出代表，专为应对严苛的功率转换挑战而生。想象一下，在您的下一个设计中，它能以600V的耐压和优化的开关特性，为系统注入前所未有的可靠性与效率，让复杂的设计难题迎刃而解。

这颗芯片的应用舞台极为广阔。无论是紧凑型开关电源（SMPS）中的主开关或辅助电源，还是家用电器、工业控制板中的电机驱动与功率管理单元，甚至是LED照明驱动和充电器适配器，STS1NK60Z都能完美融入。其表面贴装的8-SO封装，天生为高密度PCB布局而准备，让您在有限的空间内实现强大的功率处理能力。在-55°C至150°C的宽广结温范围内，它都能保持稳定性能，这意味着从寒冷的户外设备到持续高温运行的工业环境，它都是值得信赖的伙伴。

选择STS1NK60Z，就是选择了一份经过市场验证的卓越基因。其SuperMESH技术带来了更低的导通电阻和更优的开关性能，15欧姆的导通电阻（在10V驱动下）结合仅6.9nC的低栅极电荷，直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，让系统整体能效显著提升。这不仅意味着您的终端产品更节能，也意味着更少的热量产生和更高的长期可靠性。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，请务必认准官方授权的ST一级代理，他们能确保您获得正品芯片和全面的应用支持。让STS1NK60Z成为您产品性能升级和成本优化的秘密武器，开启高效、可靠、紧凑的功率设计新篇章。

• 型号:STS1NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS1NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。