STS25NH3LL

想象一下，在您最新的电源管理或电机驱动方案中，如何将效率再提升一个台阶，同时将空间占用和热损耗降至更低？答案或许就藏在一颗看似微小却能量惊人的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的明星产品STS25NH3LL。它不仅仅是一个MOSFET，更是STripFET III技术家族的杰出代表，专为追求极致性能与可靠性的工程师而生。

这颗芯片的卓越之处，首先体现在其惊人的低导通电阻上。在10V驱动电压下，其Rds(On)低至3.5毫欧，这意味着在高达25A的连续电流下，它能将导通损耗降到极低水平，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非无谓的热量。无论是用于服务器电源的同步整流、电动工具的高频开关，还是汽车辅助系统的负载控制，STS25NH3LL都能确保系统运行得更冷静、更持久。其高达175°C的结温工作能力，更是为严苛环境下的稳定运行提供了坚实保障。

当您的设计面临空间紧凑和散热挑战时，STS25NH3LL的8-SO封装便展现出巨大优势。小巧的体型让它能轻松嵌入高密度PCB布局，而其优异的电气性能则能有效减少对散热系统的依赖，从而简化整体设计，加速产品上市进程。选择它，就是选择了一种高效、可靠的解决方案。我们作为专业的ST一级代理，不仅能为您提供原装正品保障，更能提供深度的技术支持和灵活的供应链服务，确保您的创新之路畅通无阻。

尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证和出色的性能表现，使其在诸多存量项目或对长期稳定性有极高要求的领域，依然是值得信赖的经典之选。对于寻求高性能、高可靠性N沟道MOSFET的您来说，深入了解STS25NH3LL的特性，或许能为您的下一个成功设计找到关键拼图。

• 型号:STS25NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS25NH3LL的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。