STS5N15F3

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在150V高压下稳定工作，同时将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能？答案就在STS5N15F3。这款来自ST意法半导体STripFET III家族的明星产品，正是为高效、可靠的功率转换而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、缩小产品体积、增强市场竞争力的关键引擎。

无论是工业自动化中驱动电机的变频器，还是通信设备里不可或缺的DC-DC转换模块，甚至是日益普及的LED照明驱动和消费类电子产品的电源管理单元，STS5N15F3都能大显身手。其150V的漏源电压和5A的连续漏极电流，为各种中压应用场景提供了坚实的保障。在需要快速开关和高效能量传递的地方，它出色的动态性能让系统响应更迅捷，能量浪费更少。这意味着您的终端产品不仅能运行得更稳定、更安静，还能直接帮助用户节省电费，创造看得见的绿色价值。

选择STS5N15F3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。STripFET III技术带来的超低导通电阻（典型值仅57毫欧），直接转化为更低的传导损耗和更少的发热量，让您的散热设计变得前所未有的轻松。同时，优化的栅极电荷和电容特性，显著降低了开关损耗，使得高频开关应用成为可能，从而允许使用更小的磁性元件，进一步优化系统成本和尺寸。尽管该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获得稳定、有保障的货源，确保项目开发和后续生产的连续性。这颗芯片承载的，是意法半导体深厚的工艺积淀，它将以卓越的电气性能和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），成为您设计中值得信赖的功率开关伙伴，助您轻松驾驭复杂的能源挑战。

• 型号:STS5N15F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:57 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS5N15F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。