STS5N15F4

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否正被开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通电阻、提升开关速度的功率MOSFET，将如何为您的产品注入新的活力。这正是STS5N15F4诞生的意义它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统整体性能、赢得市场竞争力的关键伙伴。

源自ST意法半导体先进的STripFET和DeepGATE技术，这颗N沟道MOSFET在150V的漏源电压和5A的连续电流能力下，展现出了卓越的能效表现。其最大仅63毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下，电能可以更顺畅地通过，转化为热量的损耗被大幅削减。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了更快的开关速度，这不仅减少了开关过程中的能量损失，也让您的系统能够在更高的频率下稳定运行，为设计更小巧、更高效的电源适配器、DC-DC转换器或电机驱动板创造了可能。

无论是工业自动化设备中的电机控制、通信电源的初级侧开关，还是消费类电子产品的电池管理电路，STS5N15F4都能游刃有余。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的8-SO封装，赋予了它应对严苛环境挑战的可靠性。当您需要确保产品在长时间高负荷运行下的稳定性，或是希望在有限的空间内实现更大的功率密度时，选择它就意味着选择了经市场验证的卓越品质与性能保障。我们作为专业的ST授权代理，能够为您提供从选型支持到稳定供货的全链路服务。

所以，当您下一次评估功率开关器件时，请将焦点放在真正的价值上：不仅仅是参数表上的数字，更是它能为您的终端产品带来的整体能效提升、尺寸优化和可靠性增强。STS5N15F4正是这样一款以实际应用价值为导向的解决方案，它已经准备好，帮助您将更高效、更可靠的产品构想变为现实，在市场中脱颖而出。

• 型号:STS5N15F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2710 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS5N15F4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。