STT5N2VH5

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和空间占用而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体STripFET V系列中的明星产品STT5N2VH5，这颗N沟道MOSFET以其卓越的性能，正在重新定义20V应用场景下的功率开关标准。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电宝或无人机电池管理系统中，需要一颗既高效又小巧的功率开关。STT5N2VH5正是为此而生。其低至30毫欧的导通电阻，配合仅4.6nC的低栅极电荷，意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更长的电池续航和更低的设备发热。SOT-23-6的超紧凑封装，让它在寸土寸金的PCB板上游刃有余，为您释放宝贵的空间以集成更多功能或进一步缩小产品体积。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，无论是炎夏还是寒冬，您的产品性能始终如一。

选择STT5N2VH5，就是选择了一份放心的保障和显著的性能提升。它完美平衡了高电流处理能力（连续漏极电流达5A）与极低的驱动需求（驱动电压低至2.5V），让您的系统设计更加灵活高效。这颗芯片的价值不仅体现在参数表上，更体现在它能为您的终端产品带来的实际优势：更快的充电速度、更冷静的运行状态、更持久的耐用性。要获取这颗性能利器，您可以咨询专业的ST代理商，他们能为您提供全面的技术支持和可靠的供应链服务。立即采用STT5N2VH5，让它成为您下一个爆款产品中无声却强大的心脏，驱动创新，赢得市场。

• 型号:STT5N2VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:367 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• STT5N2VH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。