STTH4R02S

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为系统损耗和发热问题而烦恼？想象一下，一个关键的整流环节，正向压降每降低0.1V，就能为您的整个系统带来显著的能效提升和温控改善。这正是STTH4R02S为您带来的核心价值它不仅仅是一颗标准的200V/4A整流二极管，更是您提升产品竞争力的效率引擎。

这颗来自ST意法半导体的高效能器件，专为那些对效率和可靠性有严苛要求的应用场景而生。无论是服务器电源、工业变频器中的辅助电源，还是不断电系统(UPS)和高效能充电器，STTH4R02S都能游刃有余。其快速恢复特性（反向恢复时间低至30ns）能显著降低开关损耗，尤其适用于高频开关电源拓扑，让您的电源设计在应对频繁开关时更加从容，有效抑制电压尖峰和电磁干扰，为系统稳定运行保驾护航。

选择STTH4R02S，就是选择了一份安心与高效。它采用坚固的SMC封装，在紧凑的尺寸下提供了出色的散热能力和功率密度，非常适合空间受限的现代电子设备。1.05V@4A的低正向压降，直接转化为更低的导通损耗和更少的热量积累，这意味着您的产品可以运行得更凉爽、更持久，同时降低散热设计的复杂度和成本。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，请认准官方授权的ST一级代理，确保获得原装正品与专业服务。让STTH4R02S成为您下一个成功设计的可靠基石，共同开启高效、节能的电力新时代。

• 型号:STTH4R02S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SMC
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE STANDARD 200V 4A SMC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):4A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 4 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):30 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 200 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:DO-214AB，SMC
• 供应商器件封装:SMC
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
• STTH4R02S的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。