




STTH812G-TR
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:D2PAK
- 技术参数:DIODE STANDARD 1200V 8A D2PAK
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
STTH812G-TR参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中,您是否曾为整流环节的损耗与发热问题而困扰?当系统需要在高压下稳定处理大电流,同时还要兼顾快速响应与紧凑空间时,选择一颗性能卓越的整流二极管至关重要。今天,我们向您隆重介绍来自意法半导体的明星产品STTH812G-TR,它正是为破解这些核心挑战而生的高效解决方案。
想象一下,在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心功率模块中,电流汹涌澎湃,电压高达上千伏。普通的整流器件在这里可能会成为系统的“短板”,导致效率下降、温升过高,甚至影响整体寿命。而STTH812G-TR凭借其1200V的高反向耐压和8A的平均整流电流能力,如同一位沉稳而有力的守护者,轻松应对严苛的电气环境。其仅2.2V@8A的低正向压降,意味着在导通时产生的热损耗更少,让您的系统运行更“冷静”,能效表现自然脱颖而出。更令人印象深刻的是它高达1200V的反向耐压与仅8A的超低反向漏电流,确保了在关断状态下近乎完美的绝缘性能,为系统安全筑起了一道坚固的防线。
这颗芯片的价值远不止于参数表上的数字。它的快速恢复特性(trr仅100ns)是其灵魂所在。在开关电源、功率因数校正(PFC)电路等高频应用场景中,快速的关断速度能显著减少开关损耗和反向恢复引起的电压尖峰与电磁干扰(EMI)。这意味着您的产品不仅能获得更高的转换效率,还能更容易地通过严格的电磁兼容性测试,整体性能更加稳定可靠。其采用经典的D2PAK(TO-263)表面贴装封装,在提供出色散热能力的同时,也便于自动化生产,帮助您优化制造流程,加速产品上市。
那么,在众多选择中,为何最终锁定STTH812G-TR?答案在于它实现了性能、可靠性与成本的绝佳平衡。它并非实验室里的昂贵概念品,而是经过市场长期验证、广泛可用的工业级标准件。选择它,就是选择了一份来自意法半导体世界级品质的保障。当您需要稳定可靠的供货与专业的技术支持时,可以信赖您身边的ST芯片代理伙伴。无论是升级现有设计还是开启全新项目,让STTH812G-TR成为您功率电路中的核心基石,它将以其强悍而稳定的表现,助力您的产品在激烈的市场竞争中赢得先机,释放出前所未有的能量与效率。
- 型号:STTH812G-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE STANDARD 1200V 8A D2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io):8A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.2 V @ 8 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):100 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8 A @ 1200 V
- 不同Vr、F 时电容:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
- 工作温度 - 结:175°C(最大)
- STTH812G-TR的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















