STU13NM60N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够完美解决这一难题的功率器件STU13NM60N。这款来自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，不仅仅是一个简单的开关，它是您提升产品性能、降低整体能耗并增强市场竞争力的强大引擎。其600V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，为各种中高功率应用提供了坚实的基石，让您的设计从一开始就站在高可靠性的起跑线上。

想象一下，在您熟悉的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，STU13NM60N正以其卓越的性能默默工作。得益于其仅为360毫欧的低导通电阻（在5.5A, 10V条件下），它在导通状态下的损耗被降至极低，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更高的系统效率得以实现。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让您的电源系统即使在频繁开关的高频工况下也能保持冷静与高效。这种从“芯”出发的效率提升，直接转化为产品更长的运行时间、更低的运营成本以及更出色的用户体验。

选择STU13NM60N，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。意法半导体的MDmesh II技术，专为降低导通电阻和优化动态性能而设计，确保了器件在严苛环境下的长久耐用。其通孔IPAK（TO-251）封装不仅提供了优异的散热性能，支持高达90W的功率耗散，也兼顾了生产制造的便利性与可靠性。当您需要稳定可靠的供货与专业的技术支持时，通过官方授权的ST代理进行采购，将是保障项目顺利推进、获取正品原装芯片的最佳途径。无论是升级现有产品还是开发全新平台，这颗集高效、可靠、易用于一身的功率MOSFET，都将是您设计中不可或缺的核心力量，助您轻松驾驭600V电压舞台，释放11A电流潜能，打造出真正令市场瞩目的高效能产品。

• 型号:STU13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU13NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。