STU16N65M5

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是开关损耗让系统温升难以控制时，您是否渴望一款能同时驾驭高电压与低损耗的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh V系列中的明星产品STU16N65M5。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。凭借其卓越的650V高压耐受能力和优化的动态特性，它能帮助您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出，将能量更高效、更可靠地传递到每一个需要它的角落。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明驱动这些要求严苛的应用场景中，STU16N65M5正发挥着核心作用。它那高达12A的连续电流处理能力，配合仅为299毫欧的超低导通电阻，意味着在导通期间的能量损耗被大幅削减，直接转化为更低的运行温度和更高的系统整体效率。无论是应对电网波动还是负载突变，其坚固的电气特性都能确保系统稳定如山，让您的终端产品赢得用户对可靠性的绝对信赖。

选择STU16N65M5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它继承了意法半导体MDmesh V技术的全部精髓，通过创新的单元结构和工艺，在开关速度与电磁干扰（EMI）之间取得了完美平衡。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让驱动电路设计更为轻松，有效降低了开关损耗，使得高频高效运行成为可能。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础使其在特定市场和存量项目中依然极具价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理进行咨询与采购，他们将为您提供可靠的供应链保障与深度的产品洞察。

总而言之，STU16N65M5是工程师应对中高功率、高电压挑战的得力伙伴。它用实实在在的性能参数，将高效率、高可靠性的承诺转化为您产品中稳定输出的澎湃动力。拥抱这款经典之作，让它为您的下一个电源或驱动设计注入强大的芯能量，共同开启能效新纪元。

• 型号:STU16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU16N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。