STU1HN60K3

当您的电源设计需要在600V高压下稳定运行，同时还要兼顾效率与成本时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STU1HN60K3。这颗N沟道MOSFET不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键钥匙。它凭借卓越的电气特性和坚固的物理设计，为工程师们带来了前所未有的设计自由度和可靠性保障。

想象一下，在紧凑的开关电源、高效的LED驱动器或是精密的工业控制模块中，STU1HN60K3正默默发挥着核心作用。其高达600V的漏源击穿电压，让它在应对电网波动和感性负载冲击时游刃有余，为系统筑起一道坚实的安全屏障。而1.2A的连续漏极电流能力，配合SuperMESH3技术带来的超低导通电阻，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。这不仅直接提升了整机效率，更能让您的产品在长时间满负荷运行时依然保持冷静，显著延长使用寿命。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业设备中的功率转换单元，它都能轻松胜任，让您的设计从“能用”跃升到“卓越”。

选择STU1HN60K3，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。其IPAK通孔封装不仅提供了优异的散热性能，高达27W的功率耗散能力也让散热设计更加从容。更低的栅极电荷和输入电容，意味着它能够被快速驱动，开关损耗得以大幅降低，这对于追求高频高效的应用场景至关重要。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下依然稳定如一。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，请认准官方授权的ST一级代理。我们不仅提供原装正品，更能为您提供从选型到应用的全方位服务，助您将这颗高性能芯片的潜力发挥到极致，快速将创新想法转化为市场领先的产品。

• 型号:STU1HN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU1HN60K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。