STU2LN60K3

当您的下一个电源设计项目面临效率与成本的平衡难题时，您是否在寻找一颗能在高压环境下稳定输出，同时将损耗降至最低的“心脏”级功率器件？答案或许就藏在STU2LN60K3这颗N沟道功率MOSFET之中。它不仅仅是一个开关，更是意法半导体SuperMESH3技术家族的杰出代表，专为应对严苛的能效挑战而生。其高达600V的漏源电压和2A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚固的基石，而极低的导通电阻和栅极电荷，则意味着更少的热量产生和更高的开关频率潜力，直接转化为更高效、更紧凑的终端产品。

想象一下，在紧凑的开关电源适配器内部，这颗芯片正以极高的效率处理着能量转换，确保您的笔记本电脑或手机充电器不仅快速，而且凉爽安静。在LED照明驱动器中，它精准的控制能力让每一盏灯都稳定明亮，同时最大限度地节约电能。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业控制中的功率模块，STU2LN60K3都能凭借其出色的性能，在各种高压开关和电机控制场景中游刃有余，将复杂的功率管理化繁为简，让您的产品在市场中脱颖而出。

选择STU2LN60K3，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其SuperMESH3技术确保了在高压下依然拥有卓越的导通特性，而高达150°C的结温工作能力和45W的功率耗散，赋予了它无与伦比的可靠性与耐用性，轻松应对各种恶劣环境。通孔IPAK封装不仅便于焊接和散热，也经过了市场的长期验证。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，我们的合作伙伴ST一级代理将为您提供从选型到供应的全程服务。这不仅仅是一颗芯片，更是您提升产品竞争力、赢得客户信赖的关键一步。立即采用STU2LN60K3，为您的设计注入高效与可靠的核心动力！

• 型号:STU2LN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU2LN60K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。