STU2N62K3

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够将620V高压与出色导通特性完美结合的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。现在，这一切不再是想象，STU2N62K3的到来，正是为了解答这个难题。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体SuperMESH3技术家族的杰出代表，专为那些对效率与可靠性有着严苛要求的应用而量身打造。

无论是您正在设计的开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路，还是各类电机驱动和照明镇流器，STU2N62K3都能游刃有余。其620V的漏源电压额定值提供了充裕的安全裕度，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，让您的系统运行更加稳健。而2.2A的连续漏极电流能力，结合仅为3.6欧姆的低导通电阻，意味着在传导过程中能量损失被大幅降低，更多的电能被有效利用，直接转化为产品的能效提升和温升的显著改善。这尤其适合空间受限且散热挑战大的紧凑型设备，帮助您在设计上赢得先机。

选择STU2N62K3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其采用的SuperMESH3技术，是意法半导体在功率MOSFET领域深厚积淀的结晶，通过在单元结构和工艺上的优化，实现了更低的Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容）。这直接带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源工作在更高频率的同时，依然保持极高的效率。通孔IPAK封装不仅提供了坚固的机械可靠性，也便于生产和维修。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STU2N62K3成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STU2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU2N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。