STU3LN62K3

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用中的损耗与散热问题而困扰？现在，让我们为您介绍一个经过市场验证的卓越解决方案STU3LN62K3。这颗源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，以其620V的卓越耐压能力和仅为3欧姆的低导通电阻，为您的高压电路注入强劲而高效的心脏。它不仅意味着更低的传导损耗，更代表着系统整体能效的显著提升和温升的有效控制，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的稳定性和能耗表现脱颖而出。

想象一下，在紧凑的开关电源适配器、高性能的LED照明驱动或是要求严苛的工业辅助电源中，STU3LN62K3能够游刃有余地扮演核心开关角色。其高达2.5A的连续漏极电流承载能力，配合优化的栅极电荷特性，确保了快速、干净的开关动作，极大减少了开关损耗和电磁干扰。这意味着您的电源设计可以运行得更安静、更凉爽，寿命也更长久。无论是面对复杂的负载变化还是严酷的工作环境，它都能提供坚如磐石的性能保障，是工程师构建高可靠性电源系统的信心之选。

选择STU3LN62K3，就是选择了一份源自顶级半导体制造商的技术积淀与品质承诺。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的成功应用案例以及稳定的库存支持，使其依然是许多经典和延续性项目不可多得的优选器件。通过专业的ST中国代理，您可以便捷地获取这颗芯片，并获得可靠的技术支持与供应链服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。让STU3LN62K3成为您提升产品性能、优化成本结构的秘密武器，携手打造下一个市场爆款。

• 型号:STU3LN62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU3LN62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。