STU3N80K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关器件的损耗与散热问题而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH5家族的明星产品STU3N80K5，这颗N沟道高压MOSFET将以其800V的卓越耐压能力和革命性的低导通电阻，彻底改写您对功率转换效率的认知。它不仅仅是一个组件，更是您系统实现高性能、高可靠性的基石，让能量流动更顺畅，让设计挑战迎刃而解。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器应用中，STU3N80K5正扮演着核心开关的角色。其高达800V的漏源电压（Vdss）提供了充足的安全裕度，轻松应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，确保系统在恶劣环境下依然坚如磐石。而仅3.5欧姆的低导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是工业电机驱动辅助电源、家用电器的主功率开关，还是LED驱动的高效转换，它都能让您的产品在能效竞赛中脱颖而出，为用户带来更安静、更凉爽、更节能的使用体验。

选择STU3N80K5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术保障。其采用的SuperMESH5技术是意法半导体多年研发的结晶，在降低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）方面表现卓越，这直接带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关频率可以设计得更高，从而使用更小的磁性元件，节省空间与成本。通孔IPAK封装兼顾了良好的散热性能和便于焊接的工艺性。从原型设计到批量生产，这颗芯片都能提供一致的优异性能。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，我们的合作伙伴，作为官方授权的ST一级代理，将为您提供正品保障与全面的技术支持。立即采用STU3N80K5，让它成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STU3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU3N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。