STU40N2LH5

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个关键功率开关元件，能在25V/40A的严苛工况下，将导通电阻降至惊人的12.4毫欧，这意味着什么？这意味着更低的能量损耗、更少的发热，以及整个系统可靠性的显著跃升。这正是STU40N2LH5带来的核心价值它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET V系列技术的杰出代表，专为那些对效率和功率密度有极致要求的应用而生。

无论是服务器电源中需要高效同步整流的DC-DC转换器，还是电动工具中驱动电机的H桥电路，甚至是汽车辅助系统中需要稳健开关的负载控制，STU40N2LH5都能游刃有余。其仅需5V的低驱动电压即可实现优异的导通特性，让您的控制电路设计更为简洁；高达175°C的结温工作能力，赋予了它在恶劣环境下稳定运行的底气。这颗芯片就像一位沉默而强大的动力核心，确保能量在系统中高效、精准地流动，将每一瓦电力都转化为有价值的输出。

选择STU40N2LH5，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。它源自ST意法半导体的先进工艺，其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，能显著降低开关损耗，提升系统整体频率响应，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获得稳定货源与专业的技术支持，为现有设计的持续生产或升级换代提供坚实保障。在通孔封装的经典形式下，蕴藏的是对高性能的不懈追求，让它成为您高电流、高频率开关应用的理想心脏。

• 制造商产品型号：STU40N2LH5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 40A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET V
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.3nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±22V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：700pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU40N2LH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。