STU4N62K3

在追求极致能效与可靠性的电源设计中，您是否还在为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？想象一下，一颗能够轻松驾驭620V高压，同时将导通损耗降至最低的功率器件，将如何彻底改变您的产品格局？今天，我们为您带来的STU4N62K3，正是这样一款源自ST意法半导体SuperMESH3家族的明星MOSFET，它不仅仅是一个组件，更是您提升系统竞争力的强大引擎。

这颗N沟道MOSFET拥有高达3.8A的连续漏极电流和70W的强劲功率处理能力，但其真正的魅力在于极低的导通电阻与卓越的开关特性。在10V驱动电压下，其Rds(On)低至2欧姆，这意味着在相同的电流下，它能产生更少的热量，让您的设备运行得更凉爽、更持久。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让整体效率轻松跃升一个新台阶。无论是面对频繁启停的严苛工况，还是需要长时间稳定运行的场景，它都能游刃有余。

它的舞台遍布各个高要求的应用领域。在开关电源（SMPS）中，它是实现高效AC-DC或DC-DC转换的核心；在电机驱动与控制电路里，它提供可靠且快速的功率开关；对于PFC（功率因数校正）电路、照明镇流器乃至工业逆变器，STU4N62K3都能凭借其620V的高压耐受性和稳定的通孔IPAK封装，成为构建坚固、高效功率系统的基石。选择它，就是为您的产品注入了来自ST原厂的顶级品质与性能基因。

那么，为何众多领先厂商都将STU4N62K3作为首选？答案在于它带来的综合价值远超一个普通MOSFET。它直接解决了高压应用中效率与热管理的核心矛盾，让您在设计时无需在性能与可靠性之间妥协。其宽泛的工作温度范围（结温高达150°C）提供了充足的设计余量，确保产品即使在恶劣环境下也能稳定工作。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能得到及时的技术支持与供应稳定性，从而大幅缩短产品上市周期，让您的创新更快地赢得市场。立即采用STU4N62K3，开启高效、可靠电源设计的新篇章。

• 型号:STU4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU4N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。