STU5N52K3

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要承受525V的高压环境，同时又要保证快速响应与低损耗时，选择一颗怎样的MOSFET才能让您的设计脱颖而出？答案，或许就藏在STU5N52K3这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的明星产品之中。

想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心位置，STU5N52K3正以其卓越的525V耐压能力和高达4.4A的连续电流，从容应对各种严苛挑战。它不仅仅是一个开关，更是系统高效、稳定运行的守护者。其低至1.5欧姆的导通电阻（RdsOn），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效利用，直接转化为您产品的续航优势或更低的运行温度。而极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），则赋予了它迅捷的开关速度，让您的系统响应更快，在高频应用中游刃有余，轻松实现更高的功率密度。

无论是工业自动化设备中驱动电机的变频器，还是服务器电源中至关重要的PFC（功率因数校正）电路，亦或是高亮度LED驱动的关键开关节点，STU5N52K3都能完美融入。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了从酷寒到炎热的极端环境下，性能始终如一。采用坚固的I-PAK通孔封装，不仅散热性能优异，也为您的PCB布局提供了可靠的机械支撑，让生产与维护都更加省心。选择它，就是为您的产品选择了一份经受过市场验证的耐用性与一致性。

为何众多工程师在面临高压、中电流应用选型时，会持续信赖这颗芯片？因为它代表了ST在功率MOSFET领域深厚的技术积淀。SuperMESH3技术专为优化开关损耗和导通损耗而设计，是高效能方案的代名词。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量项目或对可靠性有极高要求的延续性设计中，依然具有不可替代的参考价值和库存利用意义。如果您正在寻找此类经过时间考验的高性能解决方案，或需要评估替代方案，可以咨询专业的ST代理，获取最权威的技术支持与供应链信息。让STU5N52K3所承载的高效、可靠基因，为您下一个成功的设计注入强大动力。

• 型号:STU5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU5N52K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。