STU5N62K3

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭620V高压与4.2A电流，却将导通电阻和栅极电荷双双压至低位的功率开关，将为您的产品带来怎样的性能飞跃？答案就在STU5N62K3之中。

源自意法半导体备受赞誉的SuperMESH3技术平台，这颗N沟道MOSFET绝非寻常。它凭借仅为1.6欧姆的超低导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下便能高效工作，这意味着更少的能量在导通阶段转化为热量，直接提升了系统的整体效率。同时，其极低的栅极电荷（Qg仅26nC）和输入电容，让开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用。无论是面对严苛的工业环境（-55°C至150°C结温范围），还是需要长时间稳定运行的场景，其70W的功率耗散能力都提供了坚实的可靠性保障。

这种卓越的性能特性，让STU5N62K3在众多应用场景中游刃有余。它无疑是开关电源（SMPS）初级侧功率转换的理想心脏，无论是AC-DC适配器、PC电源还是工业电源，都能帮助您实现更高的功率密度和能效标准。在照明领域，从LED驱动到HID镇流器，其快速开关特性有助于实现更精准的调光和更稳定的光输出。此外，在电机控制、不间断电源（UPS）乃至电焊机等要求高可靠性的设备中，它都能扮演关键角色，确保动力核心的强劲与稳定。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐用的基因。

那么，为何在众多选项中锁定STU5N62K3？首先，它代表了性能与成本的绝佳平衡，SuperMESH3技术确保了您在获得顶级电气性能的同时，无需支付高昂的溢价。其次，其经典的I-PAK通孔封装，兼顾了优异的散热性能和成熟的焊接工艺，极大简化了您的生产与组装流程，降低了制造风险。最重要的是，选择由官方授权的ST一级代理进行采购，您获得的将不仅仅是原装正品芯片的保障，更是从技术选型支持、稳定供货到售后服务的完整价值链，让您的项目从设计到量产全程无忧。立即采用STU5N62K3，开启能效新境界，打造您的市场竞争力。

• 型号:STU5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU5N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。