STU5N70M6-S

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与系统稳定性的平衡难题？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STU5N70M6-S。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其700V的卓越耐压能力和MDmesh M6技术的强大基因，正重新定义中高压应用场景的性能标杆。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在开关电源、照明驱动或电机控制等核心应用中，STU5N70M6-S能够轻松应对严苛的电压环境。其高达3.5A的连续漏极电流和仅为1.4欧姆的低导通电阻，意味着更低的传导损耗和更高的整体效率。这颗芯片就像一位不知疲倦的“能量守门员”，在频繁的开关动作中，凭借极低的栅极电荷（仅5.1nC）和输入电容，实现了惊人的快速切换与极低的驱动损耗，让您的系统运行得更冷静、更持久。无论是工业自动化设备中的辅助电源，还是消费类电子中的高效适配器，它都能提供稳定而强劲的动力核心。

选择STU5N70M6-S，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在极端环境下依然稳定可靠，而经典的I-PAK通孔封装则兼顾了优异的散热性能和坚固的机械特性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您服务，从选型到量产，全程护航。这不仅仅是一次元器件采购，更是为您的产品注入持久生命力与市场信心的战略投资。立即体验MDmesh M6技术带来的革新力量，让STU5N70M6-S成为您下一个成功设计的基石。

• 型号:STU5N70M6-S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 3.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• STU5N70M6-S的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。