STU5N80K5

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高可靠性与成本控制的多重挑战？今天，我们为您带来一个卓越的答案STU5N80K5。这颗源自ST意法半导体MDmesh K5系列的高压MOSFET，以其800V的惊人耐压和仅为1.75欧姆的低导通电阻，重新定义了中功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统效率、增强可靠性并优化整体成本的战略选择。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器中，STU5N80K5能够稳定应对高达800V的电压冲击，同时凭借其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），实现更快的开关速度和更低的开关损耗。这意味着在工业电源、家用电器、LED驱动乃至电动车充电桩等关键应用中，您的产品将获得更低的温升、更高的功率密度和更长的使用寿命。其坚固的I-PAK通孔封装确保了卓越的散热性能和机械可靠性，即使在-55°C至150°C的严苛温度范围内也能稳定工作。

选择STU5N80K5，就是选择了一份来自全球半导体领袖的技术保障。它继承了MDmesh K5系列的超结技术精髓，在导通损耗和开关性能之间取得了完美平衡。对于寻求稳定供应和专业技术支持的中国客户，通过权威的ST中国代理进行采购，不仅能确保产品的原装正品与及时交付，更能获得本地化的售前选型与售后支持服务。让这颗高效能、高可靠性的芯片，成为您下一代电源产品设计中无可争议的核心，助力您的项目在市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

• 制造商产品型号：STU5N80K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：177pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU5N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。