STU5N95K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能够承受高压、高效转换且稳定耐用的功率开关解决方案？答案就在STU5N95K5。这颗源自意法半导体MDmesh K5系列的高压MOSFET，以其950V的卓越耐压能力和优化的动态特性，正重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅仅是一个组件，更是您系统实现高效、紧凑与长寿命运行的关键赋能者。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或工业电机驱动中，STU5N95K5正以其高达3.5A的连续电流承载能力，在严苛的工况下稳定工作。其低至2.5欧姆的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则显著降低了开关损耗，让您的系统整体效率轻松跃升。无论是面对工业自动化设备的频繁启停，还是应对LED照明驱动中的复杂调光需求，它都能提供快速、干净的开关动作，确保能量精准、高效地传递。

选择STU5N95K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了在极端环境下依然性能不减。通孔IPAK封装不仅提供了出色的散热能力，支持高达70W的功率耗散，也兼顾了生产的便利性与可靠性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。让这颗集高性能、高可靠性于一体的功率芯片，成为您下一代产品在市场竞争中脱颖而出的秘密武器，驱动创新，赋能未来。

• 制造商产品型号：STU5N95K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 950V 3.5A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：950V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：220pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU5N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。