STU6N90K5

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为高压应用中的开关损耗和散热问题而烦恼？现在，一个划时代的解决方案已经到来STU6N90K5，这颗基于意法半导体革命性MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，正以其900V的超高耐压和卓越的动态性能，重新定义高压开关的标准。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，系统需要稳定应对高压冲击，同时保持极高的转换效率。STU6N90K5正是为此而生。其高达6A的连续漏极电流和仅为1.1欧姆的低导通电阻，意味着在导通状态下能量损耗被大幅降低，热量产生更少，系统运行更凉爽、更持久。无论是应对频繁的开关动作，还是在-55°C至150°C的宽广温度范围内工作，它都能提供坚如磐石的可靠性，确保您的终端产品在任何环境下都表现出色。

选择STU6N90K5，就是选择了一份来自技术前沿的保障。MDmesh K5技术带来了更优的栅极电荷与导通电阻平衡，显著降低了开关损耗，让您的电源设计轻松达到更高的能效等级，同时简化散热设计，节省空间与成本。其通孔IPAK（TO-251）封装兼顾了坚固性与良好的散热能力，便于安装和生产。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，我们的合作伙伴ST一级代理，将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STU6N90K5，让它成为您高压、高效能设计的核心动力，驱动您的产品迈向更高峰。

• 型号:STU6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK（TO-251）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
• 封装/外壳:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
• STU6N90K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。