STU70N2LH5

在追求极致效率的电源转换与电机驱动设计中，工程师们是否常常面临这样的困境：如何在紧凑的空间内实现高达数十安培的电流处理，同时将导通损耗降至最低，并确保系统在高负载下的稳定与可靠？答案，就蕴藏在这颗性能卓越的功率开关器件之中。让我们一同探索STU70N2LH5如何成为您下一个高效能设计的核心引擎。

想象一下，在您的DC-DC转换器或电机驱动电路中，这颗采用意法半导体先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，正以其仅7.5毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）大显身手。这意味着在24A的电流下，由它产生的导通损耗微乎其微，电能得以更高效地传递，而非转化为无谓的热量。其高达48A的连续漏极电流处理能力和25V的漏源电压，为各类中低压、大电流应用提供了坚实的保障，无论是服务器电源、电动工具，还是汽车辅助系统中的风扇泵浦驱动，它都能游刃有余，让系统动力澎湃而冷静。

选择STU70N2LH5，不仅仅是选择了一个参数出色的元器件，更是选择了一种提升整体系统竞争力的策略。其极低的栅极电荷（仅8nC @5V）和输入电容，显著降低了开关损耗，使得开关频率可以更高，从而允许使用更小的外围磁性元件，助力实现产品的小型化与轻量化。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在严苛环境下的稳定表现。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能使其在特定应用和库存市场中依然极具价值。对于正在寻找可靠、高性能MOSFET解决方案的您，通过专业的ST中国代理渠道，依然可以获取这颗经典器件，为您的经典设计或特定需求提供持续的动力支持。让它成为您电路中那个沉默却强大的效能基石，释放每一分能量的潜力。

• 制造商产品型号：STU70N2LH5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET V
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：48A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 24A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±22V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU70N2LH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。