STU7LN80K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当800V的严苛电压与5A的持续电流成为常态需求，选择一颗能够游刃有余应对挑战的MOSFET，就是决定产品成败的关键一步。现在，让我们向您隆重介绍STU7LN80K5，这颗源自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道功率器件，正是为打破瓶颈、释放潜能而生。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，它如何稳定工作。其800V的高漏源电压额定值，为您提供了充裕的设计余量和强大的抗电压冲击能力，即使在电网波动或复杂负载条件下也能稳如磐石。而5A的连续漏极电流承载能力，结合仅为1.15欧姆的低导通电阻，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。无论是工业级的严苛环境，还是消费电子对紧凑空间与散热的要求，它都能完美适配。

选择STU7LN80K5，您选择的不仅仅是一个组件，更是一套经过市场验证的高性能解决方案。其采用的先进MDmesh技术，在开关速度与电磁干扰（EMI）之间取得了精妙平衡，极低的栅极电荷（仅12nC）让驱动电路设计更为轻松，有效降低了开关损耗。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端温度下的卓越稳定性。当您需要可靠的原厂正品与专业的技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理商网络，随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。立即体验STU7LN80K5带来的能效飞跃与设计自由，让您的下一代产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STU7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU7LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。