STU8N80K5

当您需要一款能在严苛环境下稳定运行，同时兼顾高效能与成本控制的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STU8N80K5这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品可靠性、优化系统效率的得力伙伴。源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH5技术平台，它天生就拥有超越同级的低导通损耗与卓越的开关性能，这意味着更少的能量浪费和更低的温升，直接为您的终端产品带来更长的使用寿命和更稳定的运行表现。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动、照明系统或工业控制设备中，STU8N80K5正以其高达800V的漏源击穿电压和6A的连续电流能力，从容应对各种电压尖峰和负载波动。无论是面对PFC（功率因数校正）电路中的高频开关挑战，还是在反激式转换器中担任主开关管，它都能凭借其低至950毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷特性，实现快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的设计在效率和电磁兼容性上双双得分。选择它，就是为您的应用场景注入了一颗强劲而稳定的“心脏”。

那么，在众多选择中，为何最终锁定STU8N80K5？理由清晰而有力。首先，其TO-251（IPAK）封装在通孔安装方式中提供了优异的散热能力和机械强度，便于生产且可靠性高。其次，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了它在极端环境下依然能稳定工作，大大拓宽了产品的适用领域。更重要的是，通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得100%原装正品保障和具有竞争力的价格，还能享受到专业的技术支持、充足的库存供应以及灵活的供应链服务。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为您的产品竞争力加码的战略投资。选择STU8N80K5，就是选择了一份由顶尖技术和可靠服务共同护航的品质承诺。

• 型号:STU8N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A TO251
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU8N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。